dpc工艺又称直接镀铜陶瓷基板，在制作中首先将陶瓷基板进行前处理清洗，利用真空溅射方式处理基板表面沉积Ti/Cu层作为种子层，接着以光刻、显影、刻蚀工艺完成线路制作，后再以电镀/化学镀方式增加线路厚度，待光刻胶去除后完成基板制作。dpc陶瓷基板成品厚度是板材厚度中加上工艺层厚度，在常规板材厚度有0.25mm~3.0mm，不过通常厚度是0.25mm、0.38mm、0.635mm、0.8mm、1.0mm等。其实陶瓷基板厚度除了基材厚度有包括线路、阻焊、铜厚、表面处理（沉金、镀金）等厚度。
MCPCB主要是从早期的铜箔印刷式电路板(FR4)慢慢演变而成，MCPCB与FR4之间的差异是，MCPCB以金属为核心技术，采用铝或铜金属作为电路板之底材，在基板上附着上一层铜箔或铜板金属板作线路，用以改善散热不佳等问题。
因铝金属本身具有良好的延展性与热传导，结合铜金属的高热传导率，理当有非常良好的导热/散热效果，然而，铝本身为一导体，基于产品特性，铝基板与铜之间必须利用一绝缘体做绝缘，以避免铜线路与铝基板上下导通，故MCPCB多采用高分子材料作为绝缘层材料，但绝缘层(Polymer)热传导率仅0.2~0.5W/mK，且有耐热方面的问题。
因此原本热传导率的铝／铜金属，在加入Polymer后，形成热阻，大幅的降低基板整体的热传导效率，导致MCPCB的热传导率仅有1W/mK~2.2W/mK。近期的研究中，将高导电材料覆合于MCPCB之高分子材料中，虽提了MCPCB产品的热传导率，但其MCPCB整体主轴方向的热传导率亦仅能提致3~5W/mK左右。然而，在实际应用上，MCPCB也面临因冲压分割时造成因金属延伸(如图二所示)，此时因金属铜层受冲压变形延伸而导致板边高分子介电绝缘层变形，如此一来，容易使得LED产品的耐压特性不稳定(介电高分子变形破坏)。
近期有许多以陶瓷材料作为高功率LED散热基板之应用，然而LTCC／HTCC二者因采用厚膜工艺备置金属线路，使得线路度不高，加上受限于工艺因素，不利于生产小尺寸的产品，因此LTCC／HTCC现阶段工艺能力并不适合小尺寸高功率产品的需求。另一方面，DBC亦受限于工艺能力，线路解析度仅适合100~300um，且其量产能力受金属／陶瓷介面空气孔洞问题而受限。在陶瓷基板产品的线路度、材料散热系数、金属表面平整度、金属／陶瓷间接合覆着度考量，目前以薄膜微影程制作金属线的DPC陶瓷基板的应用范畴广。
其实LED多采用陶瓷基板做成芯片，以实现更好的导热性能，另外，还有其它电子设备也可以做到陶瓷基板芯片，例如大功率电力半导体模块、半导体制冷器、电子加热器、功率控制电路、功率混合电路、智能功率组件、高频开关电源、汽车电子、太阳能电池板组件、激光等工业电子。
由于小尺寸的陶瓷基板芯片（小于3mm*3mm）通过技术也能实现小尺寸集成电路的封装，所以对于集成电路的应用也是很大，毕竟集成电路的发展具备着精密化、微型化等特征。